MPMD200B120RH IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPMD200B120RH
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1136 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 275 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 977 pF
Encapsulados: 7DM3
Búsqueda de reemplazo de MPMD200B120RH IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
MPMD200B120RH datasheet
mpmd200b120rh.pdf
MPM B120RH MD200B NPT & R d Type 1200V le N Rugged e V IGBT Modul General D on Descriptio Fea atures MagnaChip s IGBT Mod package dule 7DM-3 p BVCES= 1200V V Lo n Loss VCE(sa = 2.7V (typ.) ow Conduction at) devices are optimized to ses and o reduce loss ast & Soft Anti-Parallel FWD Fa D Sh ed Min. 10us hort circuit rate s at TC=100 switch
Otros transistores... MPMB100B120RH , APT150GN120J , APT60GF120JRDQ3 , APT100GN60LDQ4G , 1MBI300N-120 , IXYX140N90C3 , 1MBI200N-120 , IXYX120N120C3 , SGT40N60NPFDPN , IXYX100N120C3 , APT80GP60B2G , APT75GP120B2G , APT100GN120B2G , MPMC200B120RH , F3L300R07PE4 , APT65GP60L2DQ2G , MPMD150B120RH .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061