MPMD200B120RH Todos los transistores

 

MPMD200B120RH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPMD200B120RH
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1136 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 275 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 977 pF
   Paquete / Cubierta: 7DM3
 

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MPMD200B120RH Datasheet (PDF)

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MPMD200B120RH

MPM B120RHMD200B NPT & R d Type 1200V leN Rugged e V IGBT ModulGeneral D on DescriptioFeaatures MagnaChips IGBT Mod package dule 7DM-3 p BVCES= 1200VV Lo n Loss : VCE(sa = 2.7V (typ.) ow Conductionat)devices are optimized to ses and o reduce lossast & Soft Anti-Parallel FWD Fa D Sh ed : Min. 10ushort circuit rate s at TC=100 switch

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History: NGD18N45CLBT4G | VS-GB100TP120N | IRGB4620D | NCE100ED65VT4 | VS-GB90DA60U | NGTG40N120FL2WG | APTGT200A170D3

 

 
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