MPMD200B120RH - аналоги и описание IGBT

 

MPMD200B120RH - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MPMD200B120RH

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1136 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 275 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 977 pF

Тип корпуса: 7DM3

 Аналог (замена) для MPMD200B120RH

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPMD200B120RH даташит

 ..1. Size:324K  magnachip
 mpmd200b120rh.pdf pdf_icon

MPMD200B120RH

MPM B120RH MD200B NPT & R d Type 1200V le N Rugged e V IGBT Modul General D on Descriptio Fea atures MagnaChip s IGBT Mod package dule 7DM-3 p BVCES= 1200V V Lo n Loss VCE(sa = 2.7V (typ.) ow Conduction at) devices are optimized to ses and o reduce loss ast & Soft Anti-Parallel FWD Fa D Sh ed Min. 10us hort circuit rate s at TC=100 switch

Другие IGBT... MPMB100B120RH , APT150GN120J , APT60GF120JRDQ3 , APT100GN60LDQ4G , 1MBI300N-120 , IXYX140N90C3 , 1MBI200N-120 , IXYX120N120C3 , SGT40N60NPFDPN , IXYX100N120C3 , APT80GP60B2G , APT75GP120B2G , APT100GN120B2G , MPMC200B120RH , F3L300R07PE4 , APT65GP60L2DQ2G , MPMD150B120RH .

History: IRGB4630D | APT80GP60JDQ3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.