IXYX100N120C3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYX100N120C3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 188 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.9 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 353 pF
Encapsulados: PLUS247
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IXYX100N120C3 datasheet
ixyk100n120c3 ixyx100n120c3.pdf
1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYK100N120C3 GenX3TM IC110 = 100A IXYX100N120C3 VCE(sat) 3.50V tfi(typ) = 110ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-264 (IXYK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G C VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V E Tab VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous
ixyx100n120c3.pdf
Advance Technical Information 1200V XPTTM IGBTs VCES = 1200V IXYK100N120C3 GenX3TM IC110 = 100A IXYX100N120C3 VCE(sat) 3.5V tfi(typ) = 110ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-264 (IXYK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G C VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V E Tab VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V PLUS247
ixyx100n120b3.pdf
Preliminary Technical Information 1200V XPTTM IGBTs VCES = 1200V IXYK100N120B3 GenX3TM IC110 = 100A IXYX100N120B3 VCE(sat) 2.6V tfi(typ) = 240ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-264 (IXYK) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings C E VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V Tab VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1200 V PLUS247 (IX
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