IXYX100N120C3 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXYX100N120C3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 188 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 353 pF
Тип корпуса: PLUS247
Аналог (замена) для IXYX100N120C3
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXYX100N120C3 даташит
ixyk100n120c3 ixyx100n120c3.pdf
1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYK100N120C3 GenX3TM IC110 = 100A IXYX100N120C3 VCE(sat) 3.50V tfi(typ) = 110ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-264 (IXYK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G C VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V E Tab VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous
ixyx100n120c3.pdf
Advance Technical Information 1200V XPTTM IGBTs VCES = 1200V IXYK100N120C3 GenX3TM IC110 = 100A IXYX100N120C3 VCE(sat) 3.5V tfi(typ) = 110ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-264 (IXYK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G C VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V E Tab VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V PLUS247
ixyx100n120b3.pdf
Preliminary Technical Information 1200V XPTTM IGBTs VCES = 1200V IXYK100N120B3 GenX3TM IC110 = 100A IXYX100N120B3 VCE(sat) 2.6V tfi(typ) = 240ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching TO-264 (IXYK) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings C E VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V Tab VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1200 V PLUS247 (IX
Другие IGBT... APT150GN120J , APT60GF120JRDQ3 , APT100GN60LDQ4G , 1MBI300N-120 , IXYX140N90C3 , 1MBI200N-120 , IXYX120N120C3 , MPMD200B120RH , RJP30E2DPP-M0 , APT80GP60B2G , APT75GP120B2G , APT100GN120B2G , MPMC200B120RH , F3L300R07PE4 , APT65GP60L2DQ2G , MPMD150B120RH , IXYT80N90C3 .
History: APT50GT60BRDQ2G
History: APT50GT60BRDQ2G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023





