RJH1BF6RDPQ-80 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RJH1BF6RDPQ-80
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 227.2 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1100 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 44 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 54 pF
Encapsulados: TO247
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RJH1BF6RDPQ-80 datasheet
rjh1bf6rdpq-80.pdf
Preliminary Datasheet RJH1BF6RDPQ-80 R07DS0393EJ0100 Silicon N Channel IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching May 16, 2011 Features Voltage resonance circuit use Reverse conducting IGBT with monolithic body diode High efficiency device for induction heating Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Tj = 2
rjh1bf7rdpq-80.pdf
Preliminary Datasheet RJH1BF7RDPQ-80 R07DS0394EJ0100 Silicon N Channel IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching May 16, 2011 Features Voltage resonance circuit use Reverse conducting IGBT with monolithic body diode High efficiency device for induction heating Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 35 A, VGE = 15V, Tj = 25
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