RJH1BF6RDPQ-80 - аналоги и описание IGBT

 

RJH1BF6RDPQ-80 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: RJH1BF6RDPQ-80

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227.2 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1100 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 55 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 44 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 54 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для RJH1BF6RDPQ-80

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH1BF6RDPQ-80 даташит

 ..1. Size:98K  renesas
 rjh1bf6rdpq-80.pdf pdf_icon

RJH1BF6RDPQ-80

Preliminary Datasheet RJH1BF6RDPQ-80 R07DS0393EJ0100 Silicon N Channel IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching May 16, 2011 Features Voltage resonance circuit use Reverse conducting IGBT with monolithic body diode High efficiency device for induction heating Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Tj = 2

 8.1. Size:98K  renesas
 rjh1bf7rdpq-80.pdf pdf_icon

RJH1BF6RDPQ-80

Preliminary Datasheet RJH1BF7RDPQ-80 R07DS0394EJ0100 Silicon N Channel IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching May 16, 2011 Features Voltage resonance circuit use Reverse conducting IGBT with monolithic body diode High efficiency device for induction heating Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 35 A, VGE = 15V, Tj = 25

Другие IGBT... AOK30B60D , APT25GN120B2DQ2G , APT25GN120BG , APT25GN120SG , IRGP4069D-E , IRGP4069-E , RJH60F5BDPQ-A0 , IRGP4062D-E , IKW30N60H3 , RJH1CF6RDPQ-80 , TGAN40N60FD , TGAN15N120ND , IRG7PH35U-EP , APT15GT60BRDQ1G , APT15GT60BRG , RJH1CF4RDPQ-80 , APT11GF120BRDQ1G .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.