RJH1BF6RDPQ-80 - аналоги и даташиты транзистора IGBT

 

RJH1BF6RDPQ-80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование: RJH1BF6RDPQ-80
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227.2 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1100 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 55 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 44 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 54 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для RJH1BF6RDPQ-80

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH1BF6RDPQ-80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  renesas
 rjh1bf6rdpq-80.pdf pdf_icon

RJH1BF6RDPQ-80

Preliminary Datasheet RJH1BF6RDPQ-80 R07DS0393EJ0100Silicon N Channel IGBT Rev.1.00High Speed Power Switching May 16, 2011Features Voltage resonance circuit use Reverse conducting IGBT with monolithic body diode High efficiency device for induction heating Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Tj = 2

 8.1. Size:98K  renesas
 rjh1bf7rdpq-80.pdf pdf_icon

RJH1BF6RDPQ-80

Preliminary Datasheet RJH1BF7RDPQ-80 R07DS0394EJ0100Silicon N Channel IGBT Rev.1.00High Speed Power Switching May 16, 2011Features Voltage resonance circuit use Reverse conducting IGBT with monolithic body diode High efficiency device for induction heating Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 35 A, VGE = 15V, Tj = 25

Другие IGBT... AOK30B60D , APT25GN120B2DQ2G , APT25GN120BG , APT25GN120SG , IRGP4069D-E , IRGP4069-E , RJH60F5BDPQ-A0 , IRGP4062D-E , YGW40N65F1 , RJH1CF6RDPQ-80 , TGAN40N60FD , TGAN15N120ND , IRG7PH35U-EP , APT15GT60BRDQ1G , APT15GT60BRG , RJH1CF4RDPQ-80 , APT11GF120BRDQ1G .

History: MMG50J120UZ6TC

 

 
Back to Top

 


 
.