IXYJ20N120C3D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYJ20N120C3D1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 105 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 21 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 29 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 70 pF
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IXYJ20N120C3D1 - IGBT
IXYJ20N120C3D1 Datasheet (PDF)
ixyj20n120c3d1.pdf
Preliminary Technical Information1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYJ20N120C3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 9A VCE(sat) 4.0V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 108nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingISO TO-247TME153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VGVGES Con
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Liste
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