IXYJ20N120C3D1 - аналоги и описание IGBT

 

IXYJ20N120C3D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXYJ20N120C3D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 21 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXYJ20N120C3D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYJ20N120C3D1 даташит

 ..1. Size:215K  ixys
 ixyj20n120c3d1.pdf pdf_icon

IXYJ20N120C3D1

Preliminary Technical Information 1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYJ20N120C3D1 GenX3TM w/ Diode IC110 = 9A VCE(sat) 4.0V (Electrically Isolated Tab) tfi(typ) = 108ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching ISO TO-247TM E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V G VGES Con

Другие IGBT... NGB8245 , STGP19NC60H , NGB18N40A , NGB8204A , NGD18N40A , NGB15N41A , NGD15N41A , APT12GT60BRG , SGT40N60FD2PT , AP20GT60P-HF , IRG4BC30UDPBF , IRGSL6B60K , STGFW30NC60V , AOB5B60D , AP20GT60ASP-HF , IRG7RC10FD , IRG4BC20FD-S .

History: IRG7IC30FD | IRG4BC15UD-L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.