Справочник IGBT. IXYJ20N120C3D1

 

IXYJ20N120C3D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYJ20N120C3D1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 21 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXYJ20N120C3D1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYJ20N120C3D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  ixys
 ixyj20n120c3d1.pdf pdf_icon

IXYJ20N120C3D1

Preliminary Technical Information1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYJ20N120C3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 9A VCE(sat) 4.0V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 108nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingISO TO-247TME153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VGVGES Con

Другие IGBT... NGB8245 , STGP19NC60H , NGB18N40A , NGB8204A , NGD18N40A , NGB15N41A , NGD15N41A , APT12GT60BRG , RJH60F7BDPQ-A0 , AP20GT60P-HF , IRG4BC30UDPBF , IRGSL6B60K , STGFW30NC60V , AOB5B60D , AP20GT60ASP-HF , IRG7RC10FD , IRG4BC20FD-S .

History: IGW40N60DTP | BLG50T65FDLA-W | IXST30N60B2D1 | TGH40N65F2DS

 

 
Back to Top

 


 
.