TGD30N40P - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TGD30N40P
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 56.8 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 105 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 50 pF
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de TGD30N40P IGBT
TGD30N40P Datasheet (PDF)
tgd30n40p.pdf
TGD30N40P Features: 400V Trench Technology High Speed Switching D-PAK Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G E Applications : Plasma Display Panel, Soft switching application, Device Package Packaging type Marking Remark TGD30N40P D-PAK Reel TGD30N40P RoHS Abs
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