Справочник IGBT. TGD30N40P

 

TGD30N40P Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TGD30N40P
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 105 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 26 nC
   Тип корпуса: TO252
 
   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGD30N40P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:812K  trinnotech
 tgd30n40p.pdf pdf_icon

TGD30N40P

TGD30N40P Features: 400V Trench Technology High Speed Switching D-PAK Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G E Applications : Plasma Display Panel, Soft switching application, Device Package Packaging type Marking Remark TGD30N40P D-PAK Reel TGD30N40P RoHS Abs

Другие IGBT... AP20GT60P-HF , IRG4BC30UDPBF , IRGSL6B60K , STGFW30NC60V , AOB5B60D , AP20GT60ASP-HF , IRG7RC10FD , IRG4BC20FD-S , FGW75N60HD , AOD5B60D , AOTF15B60D , AOTF10B60D , IRG7IC30FD , RJP60V0DPM , NTE3301 , IRG7RC07SD , CPV363M4UPBF .

 

 
Back to Top

 


 
.