TGD30N40P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: TGD30N40P  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 105 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для TGD30N40P

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGD30N40P даташит

 ..1. Size:812K  trinnotech
 tgd30n40p.pdf pdf_icon

TGD30N40P

TGD30N40P Features 400V Trench Technology High Speed Switching D-PAK Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G E Applications Plasma Display Panel, Soft switching application, Device Package Packaging type Marking Remark TGD30N40P D-PAK Reel TGD30N40P RoHS Abs

Другие IGBT... AP20GT60P-HF, IRG4BC30UDPBF, IRGSL6B60K, STGFW30NC60V, AOB5B60D, AP20GT60ASP-HF, IRG7RC10FD, IRG4BC20FD-S, BT60T60ANFK, AOD5B60D, AOTF15B60D, AOTF10B60D, IRG7IC30FD, RJP60V0DPM, NTE3301, IRG7RC07SD, CPV363M4UPBF