Справочник IGBT. TGD30N40P

 

TGD30N40P Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TGD30N40P
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 105 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF
   Тип корпуса: TO252
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

TGD30N40P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:812K  trinnotech
 tgd30n40p.pdf pdf_icon

TGD30N40P

TGD30N40P Features: 400V Trench Technology High Speed Switching D-PAK Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G E Applications : Plasma Display Panel, Soft switching application, Device Package Packaging type Marking Remark TGD30N40P D-PAK Reel TGD30N40P RoHS Abs

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: XNF15N60T | AP30G120BSW-HF | RJP30H1DPP-M0 | BT30N60ANF | HGTG20N60C3D | GT30F123 | MM10G3T120B

 

 
Back to Top

 


 
.