T0600TB45A Todos los transistores

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T0600TB45A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: T0600TB45A

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 4800

Tensión colector-emisor (Vce): 4500

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.9

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 600

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 125

Tiempo de elevación: 2100

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche:

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T0600TB45A Datasheet (PDF)

1.1. t0600tb45a.pdf Size:420K _igbt

T0600TB45A
T0600TB45A

Date:- 16 Feb, 2011 Data Sheet Issue:- P1 WESTCODE An IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0600TB45A Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector – emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate – emitter voltage ±20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

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