T0600TB45A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: T0600TB45A
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4800 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.3(typ) V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2100 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 4000 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
T0600TB45A Datasheet (PDF)
t0600tb45a.pdf

Date:- 16 Feb, 2011 Data Sheet Issue:- P1 WESTCODEAn IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0600TB45A Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS
Otros transistores... CPV363M4UPBF , CPV363M4KPBF , AP20GT60ASI-HF , AOTF5B60D , AP20GT60I , AP28G40GEM-HF , T0510VB45E , T0850VB25E , RJP63K2DPP-M0 , T1200TB25A , T0800EB45G , T0800TB45E , T0900EB45A , FF1400R12IP4 , T2250AB25E , T1200EB45E , T1600GB45G .
History: TGAN20N150FD | T0850VB25E
History: TGAN20N150FD | T0850VB25E



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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