T0600TB45A Todos los transistores

 

T0600TB45A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: T0600TB45A
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4800 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.3(typ) V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2100 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 4000 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

T0600TB45A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  ixys
t0600tb45a.pdf pdf_icon

T0600TB45A

Date:- 16 Feb, 2011 Data Sheet Issue:- P1 WESTCODEAn IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0600TB45A Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Otros transistores... CPV363M4UPBF , CPV363M4KPBF , AP20GT60ASI-HF , AOTF5B60D , AP20GT60I , AP28G40GEM-HF , T0510VB45E , T0850VB25E , RJP63K2DPP-M0 , T1200TB25A , T0800EB45G , T0800TB45E , T0900EB45A , FF1400R12IP4 , T2250AB25E , T1200EB45E , T1600GB45G .

History: TGAN20N150FD | T0850VB25E

 

 
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History: TGAN20N150FD | T0850VB25E

T0600TB45A
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Liste

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