Справочник IGBT. T0600TB45A

 

T0600TB45A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T0600TB45A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4800 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2100 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для T0600TB45A

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T0600TB45A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  ixys
t0600tb45a.pdfpdf_icon

T0600TB45A

Date:- 16 Feb, 2011 Data Sheet Issue:- P1 WESTCODEAn IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0600TB45A Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Другие IGBT... CPV363M4UPBF , CPV363M4KPBF , AP20GT60ASI-HF , AOTF5B60D , AP20GT60I , AP28G40GEM-HF , T0510VB45E , T0850VB25E , RJP63K2DPP-M0 , T1200TB25A , T0800EB45G , T0800TB45E , T0900EB45A , FF1400R12IP4 , T2250AB25E , T1200EB45E , T1600GB45G .

 

 
Back to Top

 


 
.