T0600TB45A - аналоги и описание IGBT

 

T0600TB45A - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: T0600TB45A

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4800 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2100 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для T0600TB45A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T0600TB45A даташит

 ..1. Size:420K  ixys
 t0600tb45a.pdf pdf_icon

T0600TB45A

Date - 16 Feb, 2011 Data Sheet Issue - P1 WESTCODE An IXYS Company Prospective Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0600TB45A Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS

Другие IGBT... CPV363M4UPBF , CPV363M4KPBF , AP20GT60ASI-HF , AOTF5B60D , AP20GT60I , AP28G40GEM-HF , T0510VB45E , T0850VB25E , RJP63K2DPP-M0 , T1200TB25A , T0800EB45G , T0800TB45E , T0900EB45A , FF1400R12IP4 , T2250AB25E , T1200EB45E , T1600GB45G .

History: YGW50N120FP | SGL40N150D | SII75N12 | SRE40N065FSUDG | TGAN40S160FD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.