T0900EB45A Todos los transistores

 

T0900EB45A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: T0900EB45A
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 7100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 900 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.05 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 3400 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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T0900EB45A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  ixys
t0900eb45a.pdf pdf_icon

T0900EB45A

Date:- 30 Oct, 2008Data Sheet Issue:- 1WESTCODEAn IXYS CompanyProvisional DataInsulated Gate Bi-Polar TransistorType T0900EB45AAbsolute Maximum RatingsMAXIMUMVOLTAGE RATINGS UNITSLIMITSV Collector emitter voltage 4500 VCESVDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 VV Peak gate emitter voltage 20 VGESMAXIMUMRATINGS UNITSLIMITSI Co

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: SGW23N60UF

 

 
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