T0900EB45A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: T0900EB45A
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 7100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 900 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.05 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 3400 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de T0900EB45A - IGBT
T0900EB45A Datasheet (PDF)
t0900eb45a.pdf
Date:- 30 Oct, 2008Data Sheet Issue:- 1WESTCODEAn IXYS CompanyProvisional DataInsulated Gate Bi-Polar TransistorType T0900EB45AAbsolute Maximum RatingsMAXIMUMVOLTAGE RATINGS UNITSLIMITSV Collector emitter voltage 4500 VCESVDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 VV Peak gate emitter voltage 20 VGESMAXIMUMRATINGS UNITSLIMITSI Co
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Liste
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