T0900EB45A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: T0900EB45A
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 7100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 900 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.05 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.3(typ) V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 3400 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 5000 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros