T0900EB45A - аналоги и описание IGBT

 

T0900EB45A - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: T0900EB45A

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.05 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 3400 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для T0900EB45A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T0900EB45A даташит

 ..1. Size:407K  ixys
 t0900eb45a.pdf pdf_icon

T0900EB45A

Date - 30 Oct, 2008 Data Sheet Issue - 1 WESTCODE An IXYS Company Provisional Data Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0900EB45A Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS V Collector emitter voltage 4500 V CES VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V V Peak gate emitter voltage 20 V GES MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS I Co

Другие IGBT... AP20GT60I , AP28G40GEM-HF , T0510VB45E , T0850VB25E , T0600TB45A , T1200TB25A , T0800EB45G , T0800TB45E , GT30J124 , FF1400R12IP4 , T2250AB25E , T1200EB45E , T1600GB45G , T1800GB45A , T2400GB45E , AP26G40GEO-HF , AP28G40GEO .

History: VS-GB50LA120UX | XP035PJE120AT1B2 | STGB19NC60W | NGTB45N60S1WG | STGWT40H65DFB | SRE30N065FSUDG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.