Справочник IGBT. T0900EB45A

 

T0900EB45A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T0900EB45A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.05 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.3(typ) V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 3400 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 5000 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для T0900EB45A

 

 

T0900EB45A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  ixys
 t0900eb45a.pdf

T0900EB45A T0900EB45A

Date:- 30 Oct, 2008Data Sheet Issue:- 1WESTCODEAn IXYS CompanyProvisional DataInsulated Gate Bi-Polar TransistorType T0900EB45AAbsolute Maximum RatingsMAXIMUMVOLTAGE RATINGS UNITSLIMITSV Collector emitter voltage 4500 VCESVDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 VV Peak gate emitter voltage 20 VGESMAXIMUMRATINGS UNITSLIMITSI Co

Другие IGBT... AP20GT60I , AP28G40GEM-HF , T0510VB45E , T0850VB25E , T0600TB45A , T1200TB25A , T0800EB45G , T0800TB45E , FGH40N60SFD , FF1400R12IP4 , T2250AB25E , T1200EB45E , T1600GB45G , T1800GB45A , T2400GB45E , AP26G40GEO-HF , AP28G40GEO .

 

 
Back to Top