T2400GB45E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: T2400GB45E
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 19000 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 2400 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 3800 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
T2400GB45E Datasheet (PDF)
t2400gb45e.pdf
Date: - 21 Nov, 2011 Data Sheet Issue: - 1 Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T2400GB45E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) Continuous DC collector curren
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: IGP50N60T | IGP10N60T | DIM1600ECM17-A
History: IGP50N60T | IGP10N60T | DIM1600ECM17-A
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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