Справочник IGBT. T2400GB45E

 

T2400GB45E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T2400GB45E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19000 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 2400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.3(typ) V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 3800 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 17000 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для T2400GB45E

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T2400GB45E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  ixys
 t2400gb45e.pdf pdf_icon

T2400GB45E

Date: - 21 Nov, 2011 Data Sheet Issue: - 1 Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T2400GB45E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) Continuous DC collector curren

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: STGY50NB60HD | 1MBI50FE-060 | SIGC03T60SE | APTGF10X60BTP2

 

 
Back to Top

 


 
.