AP26G40GEO-HF Todos los transistores

AP26G40GEO-HF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP26G40GEO-HF

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 1600 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 45 pF

Encapsulados: TSSOP8

- Selección ⓘ de transistores por parámetros