AP26G40GEO-HF Todos los transistores

 

AP26G40GEO-HF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP26G40GEO-HF
   Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 1.2 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 1600 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 45 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 86 nC
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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AP26G40GEO-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  ape
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AP26G40GEO-HF

AP26G40GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR ICP=150A @VGE=3.0V VCE 400VC Low Gate Drive ICP 150ACCC Strobe Flash Applications RoHS Compliant & Halogen-Free CGEETSSOP-8GEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCECollector-Emitter Voltage 400 VVGEPPeak Gate-E

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IHW50N65R5 | BSM100GB120DLCK | 2MBI400N-060-01 | BLG60T65FDK-F | NGTG25N120FL2

 

 
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