AP26G40GEO-HF Todos los transistores

 

AP26G40GEO-HF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP26G40GEO-HF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 1600 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 45 pF
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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AP26G40GEO-HF Datasheet (PDF)

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AP26G40GEO-HF

AP26G40GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR ICP=150A @VGE=3.0V VCE 400VC Low Gate Drive ICP 150ACCC Strobe Flash Applications RoHS Compliant & Halogen-Free CGEETSSOP-8GEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCECollector-Emitter Voltage 400 VVGEPPeak Gate-E

Otros transistores... T0800TB45E , T0900EB45A , FF1400R12IP4 , T2250AB25E , T1200EB45E , T1600GB45G , T1800GB45A , T2400GB45E , FGH60N60SMD , AP28G40GEO , AP30G40GEO-HF , RJP4010AGE , RJP4009ANS , STGF7H60DF , RJP4301APP-00 , NTE3300 , RJP4301APP-M0 .

 

 
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