AP26G40GEO-HF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: AP26G40GEO-HF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 1600 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF
   Тип корпуса: TSSOP8
     - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам