SGTN50A36FD Todos los transistores

 

SGTN50A36FD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGTN50A36FD
   Tipo de transistor: IGBT
   Código de marcado: N50A36
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 30 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 360 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 67 nC
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SGTN50A36FD Datasheet (PDF)

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SGTN50A36FD

SGTN50A36FD Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT 360V, 50A High Speed Punch Through IGBT Features Low gate charge Punch Through Technology Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V (@ IC = 50A, TC = 25C) RoHS compliant product Applications G C E General purpose inverters PDP UPS TO-220F-3L Ordering Information Column 1: Manufactur

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History: ISL9V5036P3 | SPT20N120F1

 

 
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