SGTN50A36FD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTN50A36FD
Tipo de transistor: IGBT
Código de marcado: N50A36
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 30 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 360 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 67 nC
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de SGTN50A36FD - IGBT
SGTN50A36FD Datasheet (PDF)
sgtn50a36fd.pdf
SGTN50A36FD Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT 360V, 50A High Speed Punch Through IGBT Features Low gate charge Punch Through Technology Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V (@ IC = 50A, TC = 25C) RoHS compliant product Applications G C E General purpose inverters PDP UPS TO-220F-3L Ordering Information Column 1: Manufactur
Otros transistores... STGF7H60DF , RJP4301APP-00 , NTE3300 , RJP4301APP-M0 , NTE3302 , RJH60A83RDPP-M0 , RJH60D1DPP-E0 , RJH60V1BDPP-M0 , CRG60T60AN3H , STGF10H60DF , STGF15H60DF , NGTB30N120L2 , NGTB30N120L2WG , NGTB40N120FL2 , NGTB40N120FL2WG , NGTB40N120S , NGTB40N120SWG .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2