SGTN50A36FD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTN50A36FD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 30 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 360 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF
Encapsulados: TO220F
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SGTN50A36FD datasheet
sgtn50a36fd.pdf
SGTN50A36FD Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT 360V, 50A High Speed Punch Through IGBT Features Low gate charge Punch Through Technology Low saturation voltage VCE(sat) = 1.6V (@ IC = 50A, TC = 25 C) RoHS compliant product Applications G C E General purpose inverters PDP UPS TO-220F-3L Ordering Information Column 1 Manufactur
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