SGTN50A36FD Todos los transistores

 

SGTN50A36FD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGTN50A36FD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 30 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 360 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de SGTN50A36FD IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SGTN50A36FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  kodenshi
 sgtn50a36fd.pdf pdf_icon

SGTN50A36FD

SGTN50A36FD Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT 360V, 50A High Speed Punch Through IGBT Features Low gate charge Punch Through Technology Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V (@ IC = 50A, TC = 25C) RoHS compliant product Applications G C E General purpose inverters PDP UPS TO-220F-3L Ordering Information Column 1: Manufactur

Otros transistores... STGF7H60DF , RJP4301APP-00 , NTE3300 , RJP4301APP-M0 , NTE3302 , RJH60A83RDPP-M0 , RJH60D1DPP-E0 , RJH60V1BDPP-M0 , FGA60N65SMD , STGF10H60DF , STGF15H60DF , NGTB30N120L2 , NGTB30N120L2WG , NGTB40N120FL2 , NGTB40N120FL2WG , NGTB40N120S , NGTB40N120SWG .

History: AUIRGDC0250 | APTGT150DA170D3 | CM150DX-24S | IGP30N65H5

 

 
Back to Top

 


 
.