SGTN50A36FD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGTN50A36FD  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 360 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGTN50A36FD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGTN50A36FD даташит

 ..1. Size:189K  kodenshi
 sgtn50a36fd.pdf pdf_icon

SGTN50A36FD

SGTN50A36FD Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT 360V, 50A High Speed Punch Through IGBT Features Low gate charge Punch Through Technology Low saturation voltage VCE(sat) = 1.6V (@ IC = 50A, TC = 25 C) RoHS compliant product Applications G C E General purpose inverters PDP UPS TO-220F-3L Ordering Information Column 1 Manufactur

Другие IGBT... STGF7H60DF, RJP4301APP-00, NTE3300, RJP4301APP-M0, NTE3302, RJH60A83RDPP-M0, RJH60D1DPP-E0, RJH60V1BDPP-M0, RJP30H1DPD, STGF10H60DF, STGF15H60DF, NGTB30N120L2, NGTB30N120L2WG, NGTB40N120FL2, NGTB40N120FL2WG, NGTB40N120S, NGTB40N120SWG