Справочник IGBT. SGTN50A36FD

 

SGTN50A36FD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTN50A36FD
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: N50A36
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 360 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 67 nC
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGTN50A36FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  kodenshi
 sgtn50a36fd.pdf pdf_icon

SGTN50A36FD

SGTN50A36FD Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT 360V, 50A High Speed Punch Through IGBT Features Low gate charge Punch Through Technology Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V (@ IC = 50A, TC = 25C) RoHS compliant product Applications G C E General purpose inverters PDP UPS TO-220F-3L Ordering Information Column 1: Manufactur

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: FGA40T65SHDF

 

 
Back to Top

 


 
.