IKW60N60H3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IKW60N60H3
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: K60H603
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 416 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 44 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 160 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 375 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IKW60N60H3 - IGBT
IKW60N60H3 Datasheet (PDF)
ikw60n60h3.pdf
IGBTHigh speed DuoPack: IGBT in Trench and Fieldstop technologywith soft, fast recovery anti-parallel diodeIKW60N60H3600V high speed switching series third generationData sheetIndustrial Power ControlIKW60N60H3High speed switching series third generationHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyCFeatures:TRENCHSTOPTM technology offering very low turn-off en
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Liste
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