IKW60N60H3 Todos los transistores

 

IKW60N60H3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IKW60N60H3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 416 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 44 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 160 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IKW60N60H3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1652K  infineon
 ikw60n60h3.pdf pdf_icon

IKW60N60H3

IGBTHigh speed DuoPack: IGBT in Trench and Fieldstop technologywith soft, fast recovery anti-parallel diodeIKW60N60H3600V high speed switching series third generationData sheetIndustrial Power ControlIKW60N60H3High speed switching series third generationHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyCFeatures:TRENCHSTOPTM technology offering very low turn-off en

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History: BRG60N60D | IKFW60N60EH3 | FGH60N60UFDTU-F085 | NCE07TD60BK | IXGH60N60C3 | NCE15TD120BT

 

 
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