IKW60N60H3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IKW60N60H3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 416 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 44 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 160 pF
Encapsulados: TO247
Búsqueda de reemplazo de IKW60N60H3 IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
IKW60N60H3 datasheet
ikw60n60h3.pdf
IGBT High speed DuoPack IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode IKW60N60H3 600V high speed switching series third generation Data sheet Industrial Power Control IKW60N60H3 High speed switching series third generation High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology C Features TRENCHSTOPTM technology offering very low turn-off en
Otros transistores... NGTB40N120S , NGTB40N120SWG , NGTB50N120FL2 , NGTB50N120FL2WG , NGTG40N120FL2 , NGTG40N120FL2WG , IKW75N65EL5 , IKZ75N65EL5 , YGW60N65F1A1 , IGW60N60H3 , NGTB40N60L2 , NGTB40N60L2WG , NGTB50N60FL2 , NGTB50N60FL2WG , NGTB50N60S1 , NGTB50N60S1WG , NGTB50N65FL2 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent