Справочник IGBT. IKW60N60H3

 

IKW60N60H3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKW60N60H3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 44 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IKW60N60H3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKW60N60H3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1652K  infineon
 ikw60n60h3.pdf pdf_icon

IKW60N60H3

IGBTHigh speed DuoPack: IGBT in Trench and Fieldstop technologywith soft, fast recovery anti-parallel diodeIKW60N60H3600V high speed switching series third generationData sheetIndustrial Power ControlIKW60N60H3High speed switching series third generationHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyCFeatures:TRENCHSTOPTM technology offering very low turn-off en

Другие IGBT... NGTB40N120S , NGTB40N120SWG , NGTB50N120FL2 , NGTB50N120FL2WG , NGTG40N120FL2 , NGTG40N120FL2WG , IKW75N65EL5 , IKZ75N65EL5 , IHW20N135R5 , IGW60N60H3 , NGTB40N60L2 , NGTB40N60L2WG , NGTB50N60FL2 , NGTB50N60FL2WG , NGTB50N60S1 , NGTB50N60S1WG , NGTB50N65FL2 .

History: NCE100ED65BT4

 

 
Back to Top

 


 
.