Справочник IGBT. IKW60N60H3

 

IKW60N60H3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKW60N60H3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 44 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IKW60N60H3

 

 

IKW60N60H3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1652K  infineon
 ikw60n60h3.pdf

IKW60N60H3 IKW60N60H3

IGBTHigh speed DuoPack: IGBT in Trench and Fieldstop technologywith soft, fast recovery anti-parallel diodeIKW60N60H3600V high speed switching series third generationData sheetIndustrial Power ControlIKW60N60H3High speed switching series third generationHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyCFeatures:TRENCHSTOPTM technology offering very low turn-off en

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top