IRGR2B60KD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRGR2B60KD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 35 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 6.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 8.7 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 17 pF
Encapsulados: TO252
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IRGR2B60KD datasheet
irgr2b60kd.pdf
IRGR2B60KDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-FAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (ON) Non Punch Through IGBT technology IC = 3.7A, TC = 100 C Low Diode VF TJ(MAX) = 150 C G 10 s Short Circuit Capability Square RBSOA VCE(ON) typ. = 1.95V E Ultra-soft Diode Reverse Recovery Characteristics n-channel
Otros transistores... STGF30H60DF , IKA08N65F5 , IKA08N65H5 , IKA15N65F5 , IKA15N65H5 , RJH60D2DPP-E0 , RJH60V2BDPP-M0 , NTE3303 , FGH75T65UPD , STGF20H60DF , RJH60A85RDPP-M0 , RJH60V3BDPP-M0 , RJP5001APP-M0 , RJP5001APP-00 , RJQ6008DPM , KGF15N60FDA , RJQ6003DPM .
History: RJH1CV7DPQ-E0 | RJH1CV6DPQ-E0
History: RJH1CV7DPQ-E0 | RJH1CV6DPQ-E0
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