IRGR2B60KD Todos los transistores

 

IRGR2B60KD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRGR2B60KD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 35 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 6.3 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 8.7 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 17 pF
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de IRGR2B60KD IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRGR2B60KD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:753K  international rectifier
 irgr2b60kd.pdf pdf_icon

IRGR2B60KD

IRGR2B60KDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-FAST SOFT RECOVERY DIODE CVCES = 600V Features Low VCE (ON) Non Punch Through IGBT technology IC = 3.7A, TC = 100C Low Diode VF TJ(MAX) = 150C G 10s Short Circuit Capability Square RBSOA VCE(ON) typ. = 1.95V E Ultra-soft Diode Reverse Recovery Characteristics n-channel

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IGW40N65F5 | IXGP7N60CD1 | MIO1500-25E10 | IXGP8N100

 

 
Back to Top

 


 
.