IRGR2B60KD - аналоги и описание IGBT

 

IRGR2B60KD - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRGR2B60KD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6.3 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 8.7 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 17 pF

Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IRGR2B60KD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGR2B60KD даташит

 ..1. Size:753K  international rectifier
 irgr2b60kd.pdf pdf_icon

IRGR2B60KD

IRGR2B60KDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-FAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (ON) Non Punch Through IGBT technology IC = 3.7A, TC = 100 C Low Diode VF TJ(MAX) = 150 C G 10 s Short Circuit Capability Square RBSOA VCE(ON) typ. = 1.95V E Ultra-soft Diode Reverse Recovery Characteristics n-channel

Другие IGBT... STGF30H60DF , IKA08N65F5 , IKA08N65H5 , IKA15N65F5 , IKA15N65H5 , RJH60D2DPP-E0 , RJH60V2BDPP-M0 , NTE3303 , FGH75T65UPD , STGF20H60DF , RJH60A85RDPP-M0 , RJH60V3BDPP-M0 , RJP5001APP-M0 , RJP5001APP-00 , RJQ6008DPM , KGF15N60FDA , RJQ6003DPM .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.