Справочник IGBT. IRGR2B60KD

 

IRGR2B60KD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGR2B60KD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6.3 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 8.7 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 17 pF
   Тип корпуса: TO252
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IRGR2B60KD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:753K  international rectifier
 irgr2b60kd.pdf pdf_icon

IRGR2B60KD

IRGR2B60KDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-FAST SOFT RECOVERY DIODE CVCES = 600V Features Low VCE (ON) Non Punch Through IGBT technology IC = 3.7A, TC = 100C Low Diode VF TJ(MAX) = 150C G 10s Short Circuit Capability Square RBSOA VCE(ON) typ. = 1.95V E Ultra-soft Diode Reverse Recovery Characteristics n-channel

Другие IGBT... STGF30H60DF , IKA08N65F5 , IKA08N65H5 , IKA15N65F5 , IKA15N65H5 , RJH60D2DPP-E0 , RJH60V2BDPP-M0 , NTE3303 , IRGP4066D , STGF20H60DF , RJH60A85RDPP-M0 , RJH60V3BDPP-M0 , RJP5001APP-M0 , RJP5001APP-00 , RJQ6008DPM , KGF15N60FDA , RJQ6003DPM .

History: KGF40N65KDC | IXXH75N60C3D1 | MSG50T120FHW | IXGR50N60BD1 | MG75Q2YS42 | IRGS4640D | BLG60T65FDK-K

 

 
Back to Top

 


 
.