Справочник IGBT. IRGR2B60KD

 

IRGR2B60KD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGR2B60KD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6.3 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 8.7 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 17 pF
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IRGR2B60KD

 

 

IRGR2B60KD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:753K  international rectifier
 irgr2b60kd.pdf

IRGR2B60KD IRGR2B60KD

IRGR2B60KDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-FAST SOFT RECOVERY DIODE CVCES = 600V Features Low VCE (ON) Non Punch Through IGBT technology IC = 3.7A, TC = 100C Low Diode VF TJ(MAX) = 150C G 10s Short Circuit Capability Square RBSOA VCE(ON) typ. = 1.95V E Ultra-soft Diode Reverse Recovery Characteristics n-channel

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top