IKP08N65H5 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IKP08N65H5
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 70 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 5 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 16 pF
Encapsulados: TO220
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IKP08N65H5 datasheet
ikp08n65h5.pdf
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ikp08n65f5.pdf
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History: IRGR4610D
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