Справочник IGBT. IKP08N65H5

 

IKP08N65H5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKP08N65H5
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 5 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 16 pF
   Тип корпуса: TO220
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IKP08N65H5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2321K  infineon
 ikp08n65h5.pdf pdf_icon

IKP08N65H5

IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeIKP08N65H5650V DuoPack IGBT and DiodeHigh speed switching series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIKP08N65H5High speed switching series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diode

 6.1. Size:2321K  infineon
 ikp08n65f5.pdf pdf_icon

IKP08N65H5

IGBTHigh speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeIKP08N65F5650V DuoPack IGBT and DiodeHigh speed switching series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIKP08N65F5High speed switching series fifth generationHigh speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked withRAPID 1 fast and soft antiparal

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: HGT1S7N60B3D | 7MBR50VP060-50 | APT50GS60SRDQ2G | CRG60T60AK3SD | IXGH2N250 | FF100R12KS4

 

 
Back to Top

 


 
.