Справочник IGBT. IKP08N65H5

 

IKP08N65H5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKP08N65H5
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 5 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 16 pF
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IKP08N65H5

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKP08N65H5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2321K  infineon
 ikp08n65h5.pdf pdf_icon

IKP08N65H5

IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeIKP08N65H5650V DuoPack IGBT and DiodeHigh speed switching series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIKP08N65H5High speed switching series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diode

 6.1. Size:2321K  infineon
 ikp08n65f5.pdf pdf_icon

IKP08N65H5

IGBTHigh speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeIKP08N65F5650V DuoPack IGBT and DiodeHigh speed switching series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIKP08N65F5High speed switching series fifth generationHigh speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked withRAPID 1 fast and soft antiparal

Другие IGBT... STGFW30V60DF , STGFW30V60F , STGFW40H65FB , STGD6NC60H-1 , STGFW40V60F , STGFW40V60DF , RJH60V2BDPE , IKP08N65F5 , GT60N321 , IKD04N60RA , IRG4MC30F , IRGB4610D , IRGR4045D , IRGR4610D , IRGS4045D , IRGS4610D , STGFW80V60F .

History: APTGT200U170D4

 

 
Back to Top

 


 
.