IRG8B08N120KD Todos los transistores

 

IRG8B08N120KD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRG8B08N120KD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 89 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 30 pF
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRG8B08N120KD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:659K  international rectifier
 irg8b08n120kd.pdf pdf_icon

IRG8B08N120KD

IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF IRG8P08N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V CIC = 8A, TC =100C tSC 10s, TJ(max) = 150C E C GE C E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 5A G C G G ETO-247AD TO-220AB TO-247AC IRG8P08N120KD-EPbF Applications IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF n-channel Ind

Otros transistores... IRGR4610D , IRGS4045D , IRGS4610D , STGFW80V60F , IXA12IF1200PC , OM6526SA , STGB7H60DF , STGP7H60DF , GT30F124 , IRG8P08N120KD , IRGB4615D , IRGS4615D , RJH3077 , RJP63G4 , NTE3310 , KE703A , IKD06N60RA .

History: 2SH26 | IXSN35N120AU1 | IXSM25N100A | IXBF20N300 | MSG15T120FPE | 1MBH30D-060 | IRG4BC30F

 

 
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