IRG8B08N120KD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRG8B08N120KD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 89 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 30 pF
Encapsulados: TO220AB
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IRG8B08N120KD datasheet
irg8b08n120kd.pdf
IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF IRG8P08N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V C IC = 8A, TC =100 C tSC 10 s, TJ(max) = 150 C E C G E C E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 5A G C G G E TO-247AD TO-220AB TO-247AC IRG8P08N120KD-EPbF Applications IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF n-channel Ind
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