Справочник IGBT. IRG8B08N120KD

 

IRG8B08N120KD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IRG8B08N120KD

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 89

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 20

Емкость коллектора (Cc), pf: 30

Корпус: TO220AB

Аналог (замена) для IRG8B08N120KD

 

 

IRG8B08N120KD Datasheet (PDF)

1.1. irg8b08n120kd.pdf Size:659K _igbt_a

IRG8B08N120KD
IRG8B08N120KD

IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF IRG8P08N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V C IC = 8A, TC =100°C tSC 10µs, TJ(max) = 150°C E C G E C E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 5A G C G G E TO-247AD TO-220AB TO-247AC IRG8P08N120KD-EPbF Applications IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF n-channel • Ind

Другие IGBT... IRGR4610D , IRGS4045D , IRGS4610D , STGFW80V60F , IXA12IF1200PC , OM6526SA , STGB7H60DF , STGP7H60DF , IRGP4086 , IRG8P08N120KD , IRGB4615D , IRGS4615D , 2E715A , 2E715B , NTE3310 , KE703A , IKD06N60RA .

Back to Top

 


IRG8B08N120KD
  IRG8B08N120KD
  IRG8B08N120KD
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top