Справочник IGBT. IRG8B08N120KD

 

IRG8B08N120KD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG8B08N120KD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 89
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 15
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.7
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 20
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 30
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 30
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для IRG8B08N120KD

 

 

IRG8B08N120KD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:659K  international rectifier
 irg8b08n120kd.pdf

IRG8B08N120KD IRG8B08N120KD

IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF IRG8P08N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V CIC = 8A, TC =100C tSC 10s, TJ(max) = 150C E C GE C E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 5A G C G G ETO-247AD TO-220AB TO-247AC IRG8P08N120KD-EPbF Applications IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF n-channel Ind

Другие IGBT... IRGR4610D , IRGS4045D , IRGS4610D , STGFW80V60F , IXA12IF1200PC , OM6526SA , STGB7H60DF , STGP7H60DF , GT30F124 , IRG8P08N120KD , IRGB4615D , IRGS4615D , 2E715A , 2E715B , NTE3310 , KE703A , IKD06N60RA .

 

 
Back to Top