Справочник IGBT. IRG8B08N120KD

 

IRG8B08N120KD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IRG8B08N120KD

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 89

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 20

Емкость коллектора (Cc), pf: 30

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRG8B08N120KD

 

 

IRG8B08N120KD Datasheet (PDF)

0.1. irg8b08n120kd.pdf Size:659K _international_rectifier

IRG8B08N120KD
IRG8B08N120KD

IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF IRG8P08N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V CIC = 8A, TC =100C tSC 10s, TJ(max) = 150C E C GE C E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 5A G C G G ETO-247AD TO-220AB TO-247AC IRG8P08N120KD-EPbF Applications IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF n-channel Ind

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 1MBH50D-060 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top