Справочник IGBT. IRG8B08N120KD

 

IRG8B08N120KD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG8B08N120KD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 30 pF
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IRG8B08N120KD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:659K  international rectifier
 irg8b08n120kd.pdf pdf_icon

IRG8B08N120KD

IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF IRG8P08N120KD-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1200V CIC = 8A, TC =100C tSC 10s, TJ(max) = 150C E C GE C E VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 5A G C G G ETO-247AD TO-220AB TO-247AC IRG8P08N120KD-EPbF Applications IRG8B08N120KDPbF IRG8P08N120KDPbF n-channel Ind

Другие IGBT... IRGR4610D , IRGS4045D , IRGS4610D , STGFW80V60F , IXA12IF1200PC , OM6526SA , STGB7H60DF , STGP7H60DF , GT30F124 , IRG8P08N120KD , IRGB4615D , IRGS4615D , RJH3077 , RJP63G4 , NTE3310 , KE703A , IKD06N60RA .

History: SGS6N60UF | MSG15T120FPE | IXSX50N60AU1S | IRG4BC30F | IXSN35N120AU1 | IXST15N120B | IXBF20N300

 

 
Back to Top

 


 
.