STGD3NC120H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGD3NC120H
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 105 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 7 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 3.5 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 45 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 24 nC
Paquete / Cubierta: TO251
- Selección de transistores por parámetros
STGD3NC120H Datasheet (PDF)
stgd3nc120h.pdf
STGD3NC120H7 A, 1200 V very fast IGBTDatasheet - production dataFeatures High voltage capability High speedTABApplications3 Home appliance21 LightingIPAKDescription(TO251)This device is a very fast IGBT developed using advanced PowerMESH technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state
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STGD3NB60SDN-CHANNEL 3A - 600V - DPAKPowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGD3NB60SD 600 V
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STGP3NB60SSTGD3NB60SN-CHANNEL 3A - 600V - TO-220 / DPAKPowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGP3NB60S 600 V
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History: STGP35HF60W | CM800DY-24S
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Liste
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