Справочник IGBT. STGD3NC120H

 

STGD3NC120H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGD3NC120H
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 3.5 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF
   Тип корпуса: TO251
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

STGD3NC120H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:895K  st
 stgd3nc120h.pdf pdf_icon

STGD3NC120H

STGD3NC120H7 A, 1200 V very fast IGBTDatasheet - production dataFeatures High voltage capability High speedTABApplications3 Home appliance21 LightingIPAKDescription(TO251)This device is a very fast IGBT developed using advanced PowerMESH technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state

 8.1. Size:308K  st
 stgd3nb60sd.pdf pdf_icon

STGD3NC120H

STGD3NB60SDN-CHANNEL 3A - 600V - DPAKPowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGD3NB60SD 600 V

 8.2. Size:313K  st
 stgd3nb60h.pdf pdf_icon

STGD3NC120H

STGD3NB60HN-CHANNEL 3A - 600V - DPAKPowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTD3NB60H 600 V

 8.3. Size:411K  st
 stgp3nb60s-stgd3nb60s.pdf pdf_icon

STGD3NC120H

STGP3NB60SSTGD3NB60SN-CHANNEL 3A - 600V - TO-220 / DPAKPowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGP3NB60S 600 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: MMG100D120B6HN | JNG20T60PS | IXYN100N65B3D1 | CM150DU-12F | DM2G75SH6N | NCE40ED75VT | 1MBH50-060

 

 
Back to Top

 


 
.