STGD3NC120H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование: STGD3NC120H
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 3.5 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для STGD3NC120H
STGD3NC120H Datasheet (PDF)
stgd3nc120h.pdf
STGD3NC120H 7 A, 1200 V very fast IGBT Datasheet - production data Features High voltage capability High speed TAB Applications 3 Home appliance 2 1 Lighting IPAK Description (TO251) This device is a very fast IGBT developed using advanced PowerMESH technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state
stgd3nb60sd.pdf
STGD3NB60SD N-CHANNEL 3A - 600V - DPAK PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGD3NB60SD 600 V
stgd3nb60h.pdf
STGD3NB60H N-CHANNEL 3A - 600V - DPAK PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STD3NB60H 600 V
stgp3nb60s-stgd3nb60s.pdf
STGP3NB60S STGD3NB60S N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220 / DPAK PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP3NB60S 600 V
Другие IGBT... IKD06N60RA , IRGB4715D , IRGS4715D , IRGS4064D , MG1215H-XBN2MM , IKP15N65F5 , IKP15N65H5 , MMG15H120XB6TN , SGT40N60NPFDPN , RJP6016JPE , RJH60A85RDPE , RJH60V3BDPE , IRG7PH28UD1 , NGD18N45 , NGD18N45CLBT4G , NGD8201B , NGD8201BNT4G .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897