STGD3NC120H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: STGD3NC120H  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 3.5 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 24 nC

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для STGD3NC120H

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGD3NC120H даташит

 ..1. Size:895K  st
 stgd3nc120h.pdf pdf_icon

STGD3NC120H

STGD3NC120H 7 A, 1200 V very fast IGBT Datasheet - production data Features High voltage capability High speed TAB Applications 3 Home appliance 2 1 Lighting IPAK Description (TO251) This device is a very fast IGBT developed using advanced PowerMESH technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state

 8.1. Size:308K  st
 stgd3nb60sd.pdf pdf_icon

STGD3NC120H

STGD3NB60SD N-CHANNEL 3A - 600V - DPAK PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGD3NB60SD 600 V

 8.2. Size:313K  st
 stgd3nb60h.pdf pdf_icon

STGD3NC120H

STGD3NB60H N-CHANNEL 3A - 600V - DPAK PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STD3NB60H 600 V

 8.3. Size:411K  st
 stgp3nb60s-stgd3nb60s.pdf pdf_icon

STGD3NC120H

STGP3NB60S STGD3NB60S N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220 / DPAK PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP3NB60S 600 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IKD06N60RA, IRGB4715D, IRGS4715D, IRGS4064D, MG1215H-XBN2MM, IKP15N65F5, IKP15N65H5, MMG15H120XB6TN, SGT40N60NPFDPN, RJP6016JPE, RJH60A85RDPE, RJH60V3BDPE, IRG7PH28UD1, NGD18N45, NGD18N45CLBT4G, NGD8201B, NGD8201BNT4G