SGTN15C120HW - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTN15C120HW
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: N15C120H
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 100 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SGTN15C120HW - IGBT
SGTN15C120HW Datasheet (PDF)
sgtn15c120hw.pdf
SGTN15C120HW Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT 1200V, 15A High Speed Field Stop IGBT Features Low gate charge Field Sotp Technology Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.8V (@ IC = 15A, TC = 25C) RoHS compliant product Applications G C E General purpose inverters Induction heating (IH) UPS TO-247 Ordering Information Column 1:
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