SGTN15C120HW Todos los transistores

 

SGTN15C120HW - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGTN15C120HW
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: N15C120H
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 100 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGTN15C120HW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  kodenshi
 sgtn15c120hw.pdf pdf_icon

SGTN15C120HW

SGTN15C120HW Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT 1200V, 15A High Speed Field Stop IGBT Features Low gate charge Field Sotp Technology Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.8V (@ IC = 15A, TC = 25C) RoHS compliant product Applications G C E General purpose inverters Induction heating (IH) UPS TO-247 Ordering Information Column 1:

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: FGH40N60SMDF-F085 | IXGK35N120CD1 | IXGK35N120C | RGTH60TS65 | IXDR30N120 | IXEH25N120

 

 
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