SGTN15C120HW - аналоги и описание IGBT

 

SGTN15C120HW - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGTN15C120HW

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGTN15C120HW

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGTN15C120HW даташит

 ..1. Size:288K  kodenshi
 sgtn15c120hw.pdf pdf_icon

SGTN15C120HW

SGTN15C120HW Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT 1200V, 15A High Speed Field Stop IGBT Features Low gate charge Field Sotp Technology Low saturation voltage VCE(sat) = 1.8V (@ IC = 15A, TC = 25 C) RoHS compliant product Applications G C E General purpose inverters Induction heating (IH) UPS TO-247 Ordering Information Column 1

Другие IGBT... MMG25H120XB6TN , KGT15N135KDH , KGT15N135NDH , STGB30H60DF , STGP30H60DF , IKD10N60RA , IHW20N65R5 , IRG4MC50F , IKW50N60H3 , STGB18N40LZT4 , STGP30H65F , KGF20N60KDA , KGF20N60PA , NGTB15N120IHL , NGTB15N120FL , NGTB15N120FLWG , NGTB15N120L .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.