Справочник IGBT. SGTN15C120HW

 

SGTN15C120HW Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTN15C120HW
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SGTN15C120HW

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGTN15C120HW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  kodenshi
 sgtn15c120hw.pdf pdf_icon

SGTN15C120HW

SGTN15C120HW Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT 1200V, 15A High Speed Field Stop IGBT Features Low gate charge Field Sotp Technology Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.8V (@ IC = 15A, TC = 25C) RoHS compliant product Applications G C E General purpose inverters Induction heating (IH) UPS TO-247 Ordering Information Column 1:

Другие IGBT... MMG25H120XB6TN , KGT15N135KDH , KGT15N135NDH , STGB30H60DF , STGP30H60DF , IKD10N60RA , IHW20N65R5 , IRG4MC50F , CRG60T60AK3HD , STGB18N40LZT4 , STGP30H65F , KGF20N60KDA , KGF20N60PA , NGTB15N120IHL , NGTB15N120FL , NGTB15N120FLWG , NGTB15N120L .

 

 
Back to Top

 


 
.