Справочник IGBT. SGTN15C120HW

 

SGTN15C120HW Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTN15C120HW
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: N15C120H
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 100 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGTN15C120HW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  kodenshi
 sgtn15c120hw.pdf pdf_icon

SGTN15C120HW

SGTN15C120HW Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT 1200V, 15A High Speed Field Stop IGBT Features Low gate charge Field Sotp Technology Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.8V (@ IC = 15A, TC = 25C) RoHS compliant product Applications G C E General purpose inverters Induction heating (IH) UPS TO-247 Ordering Information Column 1:

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: FGH40N60SMDF-F085 | IXGK35N120CD1 | IXGK35N120C | RGTH60TS65 | IXDR30N120 | IXEH25N120

 

 
Back to Top

 


 
.