F3L50R06W1E3_B11 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L50R06W1E3_B11
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 175 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 13 nS
Encapsulados: MODULE
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F3L50R06W1E3_B11 datasheet
f3l50r06w1e3 b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L50R06W1E3_B11 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC V = 600V CES I = 50A / I = 100A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikation
f3l50r06w1e3-b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L50R06W1E3_B11 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC V = 600V CES I = 50A / I = 100A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikation
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