F3L50R06W1E3_B11 - аналоги и описание IGBT

 

F3L50R06W1E3_B11 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: F3L50R06W1E3_B11

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для F3L50R06W1E3_B11

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F3L50R06W1E3_B11 даташит

 0.1. Size:865K  infineon
 f3l50r06w1e3 b11.pdf pdf_icon

F3L50R06W1E3_B11

Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L50R06W1E3_B11 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC V = 600V CES I = 50A / I = 100A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikation

 2.1. Size:824K  infineon
 f3l50r06w1e3-b11.pdf pdf_icon

F3L50R06W1E3_B11

Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L50R06W1E3_B11 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC V = 600V CES I = 50A / I = 100A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikation

Другие IGBT... STGB20V60F , STGFW20V60F , STGP20V60DF , STGP20V60F , STGW20V60DF , STGW20V60F , STGWT20V60DF , STGWT20V60F , CRG75T65AK5HD , KGT15N120NDS , KGF30N60KDA , KGF30N60PA , IRG7PH35UD1-EP , IRG7PH35UD1M , IRG8P25N120KD , IGB30N60T , IGW30N60T .

History: F3L150R07W2E3_B11 | DL2G100SH6N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.