Справочник IGBT. F3L50R06W1E3_B11

 

F3L50R06W1E3_B11 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: F3L50R06W1E3_B11
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

F3L50R06W1E3_B11 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:865K  infineon
 f3l50r06w1e3 b11.pdf pdf_icon

F3L50R06W1E3_B11

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L50R06W1E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCV = 600VCESI = 50A / I = 100AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikation

 2.1. Size:824K  infineon
 f3l50r06w1e3-b11.pdf pdf_icon

F3L50R06W1E3_B11

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L50R06W1E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCV = 600VCESI = 50A / I = 100AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikation

Другие IGBT... STGB20V60F , STGFW20V60F , STGP20V60DF , STGP20V60F , STGW20V60DF , STGW20V60F , STGWT20V60DF , STGWT20V60F , IRG4PC40W , KGT15N120NDS , KGF30N60KDA , KGF30N60PA , IRG7PH35UD1-EP , IRG7PH35UD1M , IRG8P25N120KD , IGB30N60T , IGW30N60T .

History: ISL9V5045S3 | APT20GF120KR | MMG600KR120U | AFGHL40T65SPD | IXGC16N60C2 | MM50G3U120BMX | IXYH24N90C3D1

 

 
Back to Top

 


 
.