25MT060WFAPBF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 25MT060WFAPBF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 195 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 69 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.22 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 714 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 175 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de 25MT060WFAPBF - IGBT
25MT060WFAPBF Datasheet (PDF)
25mt060wfapbf.pdf
25MT060WFAPbFVishay High Power Products"Full Bridge" IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 50 AFEATURES Generation 4 warp speed IGBT technology HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoftreverse recovery Very low conduction and switching losses Optional SMT thermistor Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation Speed 8 kHz to 60 kHz > 2
vs-25mt060wfapbf.pdf
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Liste
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