25MT060WFAPBF Todos los transistores

 

25MT060WFAPBF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 25MT060WFAPBF
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 195 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 69 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.22 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 714 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 175 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

25MT060WFAPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  vishay
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25MT060WFAPBF

25MT060WFAPbFVishay High Power Products"Full Bridge" IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 50 AFEATURES Generation 4 warp speed IGBT technology HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoftreverse recovery Very low conduction and switching losses Optional SMT thermistor Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation Speed 8 kHz to 60 kHz > 2

 0.1. Size:257K  vishay
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25MT060WFAPBF

VS-25MT060WFAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsFull Bridge IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 50 AFEATURES Gen 4 warp speed IGBT technology HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Very low conduction and switching losses Optional SMT thermistor Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation Speed 8 kHz t

Otros transistores... NGTB25N120IHL , IRGP6630D , NGTB20N120L , NGTB20N120LWG , NGTB25N120L , NGTB25N120LWG , NGTB30N120IHS , NGTB30N120IHSWG , GT50JR22 , MMG40H120XB6TN , 6SI75N12 , IRGB4630D , IRGP4630D , IRGS4630D , CI40T120P , KGF25N120KDA , AP40G120W .

History: FD300R07PE4_B6 | CM600DXL-24S | CM100RL-24NF | CM50YE13-12H | DM2G150SH6NE | BSM50GP60 | MMG200D120B6UC

 

 
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