Справочник IGBT. 25MT060WFAPBF

 

25MT060WFAPBF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 25MT060WFAPBF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 69 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.22 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 714 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 175 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

25MT060WFAPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  vishay
 25mt060wfapbf.pdf pdf_icon

25MT060WFAPBF

25MT060WFAPbFVishay High Power Products"Full Bridge" IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 50 AFEATURES Generation 4 warp speed IGBT technology HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoftreverse recovery Very low conduction and switching losses Optional SMT thermistor Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation Speed 8 kHz to 60 kHz > 2

 0.1. Size:257K  vishay
 vs-25mt060wfapbf.pdf pdf_icon

25MT060WFAPBF

VS-25MT060WFAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsFull Bridge IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 50 AFEATURES Gen 4 warp speed IGBT technology HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Very low conduction and switching losses Optional SMT thermistor Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation Speed 8 kHz t

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.