6SI75N12 Todos los transistores

 

6SI75N12 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 6SI75N12
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 103 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 720 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

 Búsqueda de reemplazo de 6SI75N12 IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

6SI75N12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  sirectifier
6si75n12.pdf pdf_icon

6SI75N12

6SI75N12NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values Units1200VCES VIC 103(75) TC= 25(80)oC AICRM 206(150) TC= 25(80)oC, tP =1ms A_VGES+20 VPtot 200 Wo_ _TVj,(Tstg) TOPERATION

Otros transistores... NGTB20N120L , NGTB20N120LWG , NGTB25N120L , NGTB25N120LWG , NGTB30N120IHS , NGTB30N120IHSWG , 25MT060WFAPBF , MMG40H120XB6TN , FGD4536 , IRGB4630D , IRGP4630D , IRGS4630D , CI40T120P , KGF25N120KDA , AP40G120W , F4-25R12NS4 , IRG7PG35U .

 

 
Back to Top

 


6SI75N12
  6SI75N12
  6SI75N12
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores

IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor

 


 
.