6SI75N12 Todos los transistores

 

6SI75N12 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 6SI75N12
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 103 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 720 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

6SI75N12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  sirectifier
 6si75n12.pdf pdf_icon

6SI75N12

6SI75N12NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values Units1200VCES VIC 103(75) TC= 25(80)oC AICRM 206(150) TC= 25(80)oC, tP =1ms A_VGES+20 VPtot 200 Wo_ _TVj,(Tstg) TOPERATION

Otros transistores... NGTB20N120L , NGTB20N120LWG , NGTB25N120L , NGTB25N120LWG , NGTB30N120IHS , NGTB30N120IHSWG , 25MT060WFAPBF , MMG40H120XB6TN , MBQ60T65PES , IRGB4630D , IRGP4630D , IRGS4630D , CI40T120P , KGF25N120KDA , AP40G120W , F4-25R12NS4 , IRG7PG35U .

History: SKM200GAL173D | IRGP4068DPBF | SKM300GAR123D | MMG200DR120B | IXYH20N120C3D1 | IXBH10N300HV | APT47GA60JD40

 

 
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