6SI75N12 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 6SI75N12  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 103 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 720 pF

Encapsulados: MODULE

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6SI75N12 datasheet

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6SI75N12

6SI75N12 NPT IGBT Modules Dimensions in mm (1mm = 0.0394") TC = 25oC, unless otherwise specified Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units 1200 VCES V IC 103(75) TC= 25(80)oC A ICRM 206(150) TC= 25(80)oC, tP =1ms A _ VGES +20 V Ptot 200 W o _ _ TVj,(Tstg) TOPERATION

Otros transistores... NGTB20N120L, NGTB20N120LWG, NGTB25N120L, NGTB25N120LWG, NGTB30N120IHS, NGTB30N120IHSWG, 25MT060WFAPBF, MMG40H120XB6TN, GT30J127, IRGB4630D, IRGP4630D, IRGS4630D, CI40T120P, KGF25N120KDA, AP40G120W, F4-25R12NS4, IRG7PG35U