6SI75N12 - аналоги и описание IGBT

 

6SI75N12 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: 6SI75N12

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 103 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 720 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 6SI75N12

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

6SI75N12 даташит

 ..1. Size:541K  sirectifier
 6si75n12.pdf pdf_icon

6SI75N12

6SI75N12 NPT IGBT Modules Dimensions in mm (1mm = 0.0394") TC = 25oC, unless otherwise specified Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units 1200 VCES V IC 103(75) TC= 25(80)oC A ICRM 206(150) TC= 25(80)oC, tP =1ms A _ VGES +20 V Ptot 200 W o _ _ TVj,(Tstg) TOPERATION

Другие IGBT... NGTB20N120L , NGTB20N120LWG , NGTB25N120L , NGTB25N120LWG , NGTB30N120IHS , NGTB30N120IHSWG , 25MT060WFAPBF , MMG40H120XB6TN , GT50JR22 , IRGB4630D , IRGP4630D , IRGS4630D , CI40T120P , KGF25N120KDA , AP40G120W , F4-25R12NS4 , IRG7PG35U .

History: IRGP4750D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.