Справочник IGBT. 6SI75N12

 

6SI75N12 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 6SI75N12
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 103 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 720 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

6SI75N12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  sirectifier
 6si75n12.pdf pdf_icon

6SI75N12

6SI75N12NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values Units1200VCES VIC 103(75) TC= 25(80)oC AICRM 206(150) TC= 25(80)oC, tP =1ms A_VGES+20 VPtot 200 Wo_ _TVj,(Tstg) TOPERATION

Другие IGBT... NGTB20N120L , NGTB20N120LWG , NGTB25N120L , NGTB25N120LWG , NGTB30N120IHS , NGTB30N120IHSWG , 25MT060WFAPBF , MMG40H120XB6TN , MBQ60T65PES , IRGB4630D , IRGP4630D , IRGS4630D , CI40T120P , KGF25N120KDA , AP40G120W , F4-25R12NS4 , IRG7PG35U .

History: IXYH40N65B3 | APT47GA60JD40 | IRGP4068DPBF | SKM300GAR123D | IXGH36N60B3C1 | SKM400GAR062D | MMG200DR120B

 

 
Back to Top

 


 
.