F4-25R12NS4 Todos los transistores

 

F4-25R12NS4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F4-25R12NS4
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 210 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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F4-25R12NS4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  eupec
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F4-25R12NS4

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleF4-25R12NS4IGBT-modulesEconoPACK1 mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten als H-Brckenkonfiguration EconoPACK1 module with fast IGBT2 for high switching frequency as H-bridge configuration IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Vorlufige Daten / preliminary dataHchstzulssige Werte / maximum rated values

 9.1. Size:573K  infineon
 f4-250r17mp4-b11.pdf pdf_icon

F4-25R12NS4

F4-250R17MP4_B11EconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 3 DiodeEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diodeV = 1700VCESI = 250A / I = 500AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mittelspannungsantriebe Medium voltage converters Windge

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History: STGWT40H60DLFB | IXGA14N120B | F4-200R06KL4 | STGWA20H65DFB2 | IKW30N65H5 | IXSX80N60B | DL2G75SH6N

 

 
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