F4-25R12NS4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F4-25R12NS4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 210 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Encapsulados: MODULE
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F4-25R12NS4 datasheet
f4-25r12ns4.pdf
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f4-250r17mp4-b11.pdf
F4-250R17MP4_B11 EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 3 Diode EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diode V = 1700V CES I = 250A / I = 500A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mittelspannungsantriebe Medium voltage converters Windge
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