Справочник IGBT. F4-25R12NS4

 

F4-25R12NS4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: F4-25R12NS4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для F4-25R12NS4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F4-25R12NS4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  eupec
 f4-25r12ns4.pdf pdf_icon

F4-25R12NS4

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleF4-25R12NS4IGBT-modulesEconoPACK1 mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten als H-Brckenkonfiguration EconoPACK1 module with fast IGBT2 for high switching frequency as H-bridge configuration IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Vorlufige Daten / preliminary dataHchstzulssige Werte / maximum rated values

 9.1. Size:573K  infineon
 f4-250r17mp4-b11.pdf pdf_icon

F4-25R12NS4

F4-250R17MP4_B11EconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 3 DiodeEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diodeV = 1700VCESI = 250A / I = 500AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mittelspannungsantriebe Medium voltage converters Windge

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.