F4-25R12NS4 - аналоги и описание IGBT

 

F4-25R12NS4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: F4-25R12NS4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для F4-25R12NS4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F4-25R12NS4 даташит

 ..1. Size:258K  eupec
 f4-25r12ns4.pdf pdf_icon

F4-25R12NS4

Technische Information / technical information IGBT-Module F4-25R12NS4 IGBT-modules EconoPACK 1 mit schnellem IGBT2 f r hochfrequentes Schalten als H-Br ckenkonfiguration EconoPACK 1 module with fast IGBT2 for high switching frequency as H-bridge configuration IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Vorl ufige Daten / preliminary data H chstzul ssige Werte / maximum rated values

 9.1. Size:573K  infineon
 f4-250r17mp4-b11.pdf pdf_icon

F4-25R12NS4

F4-250R17MP4_B11 EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 3 Diode EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diode V = 1700V CES I = 250A / I = 500A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications Hochleistungsumrichter High power converters Mittelspannungsantriebe Medium voltage converters Windge

Другие IGBT... MMG40H120XB6TN , 6SI75N12 , IRGB4630D , IRGP4630D , IRGS4630D , CI40T120P , KGF25N120KDA , AP40G120W , FGA25N120ANTD , IRG7PG35U , STGB20H60DF , STGP20H60DF , STGW20H60DF , STGWT20H60DF , AUIRGP66524D0 , IRG7PH37K10D , AUIRGP4062D1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.