HGTD6N50E1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGTD6N50E1
Tipo de transistor: IGBT
Código de marcado: G6N50E
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 7.5 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 32 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 6.9 nC
Paquete / Cubierta: TO251
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HGTD6N50E1 Datasheet (PDF)
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HGTD6N40E1, HGTD6N40E1S,HGTD6N50E1, HGTD6N50E1S6A, 400V and 500V N-Channel IGBTsMarch 1997Features PackagesHGTD6N40E1, HGTD6N50E1 6A, 400V and 500VJEDEC TO-251AA VCE(ON): 2.5V Max.EMITTERCOLLECTOR TFALL: 1.0sGATE Low On-State Voltage Fast Switching SpeedsCOLLECTOR(FLANGE) High Input ImpedanceHGTD6N40E1S, HGTD6N50E1SApplicationsJEDEC TO
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Liste
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