Справочник IGBT. HGTD6N50E1

 

HGTD6N50E1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HGTD6N50E1
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G6N50E
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7.5 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 6.9 nC
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для HGTD6N50E1

 

 

HGTD6N50E1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:32K  1
 hgtd6n40e1 hgtd6n40e1s hgtd6n50e1 hgtd6n50e1s.pdf

HGTD6N50E1 HGTD6N50E1

HGTD6N40E1, HGTD6N40E1S,HGTD6N50E1, HGTD6N50E1S6A, 400V and 500V N-Channel IGBTsMarch 1997Features PackagesHGTD6N40E1, HGTD6N50E1 6A, 400V and 500VJEDEC TO-251AA VCE(ON): 2.5V Max.EMITTERCOLLECTOR TFALL: 1.0sGATE Low On-State Voltage Fast Switching SpeedsCOLLECTOR(FLANGE) High Input ImpedanceHGTD6N40E1S, HGTD6N50E1SApplicationsJEDEC TO

Другие IGBT... HGTD3N60A4S , HGTD3N60B3 , HGTD3N60B3S , HGTD3N60C3 , HGTD3N60C3S , HGT5A27N120BN , HGTD6N40E1 , HGTD6N40E1S , SGT50T65FD1PN , HGTD6N50E1S , HGTD7N60A4S , HGTD7N60B3 , HGTD7N60B3S , HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S , HGT1S2N120CNS , HGTD8P50G1 .

 

 
Back to Top