HGTD6N50E1S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGTD6N50E1S  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 500 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 32 nS

Encapsulados: TO252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HGTD6N50E1S IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HGTD6N50E1S datasheet

 ..1. Size:32K  1
 hgtd6n40e1 hgtd6n40e1s hgtd6n50e1 hgtd6n50e1s.pdf pdf_icon

HGTD6N50E1S

HGTD6N40E1, HGTD6N40E1S, HGTD6N50E1, HGTD6N50E1S 6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs March 1997 Features Packages HGTD6N40E1, HGTD6N50E1 6A, 400V and 500V JEDEC TO-251AA VCE(ON) 2.5V Max. EMITTER COLLECTOR TFALL 1.0 s GATE Low On-State Voltage Fast Switching Speeds COLLECTOR (FLANGE) High Input Impedance HGTD6N40E1S, HGTD6N50E1S Applications JEDEC TO

Otros transistores... HGTD3N60B3, HGTD3N60B3S, HGTD3N60C3, HGTD3N60C3S, HGT5A27N120BN, HGTD6N40E1, HGTD6N40E1S, HGTD6N50E1, NGD8201N, HGTD7N60A4S, HGTD7N60B3, HGTD7N60B3S, HGTD7N60C3, HGTD7N60C3S, HGT1S2N120CNS, HGTD8P50G1, HGTD8P50G1S