HGTD6N50E1S - аналоги и описание IGBT

 

HGTD6N50E1S - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: HGTD6N50E1S

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7.5 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS

Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для HGTD6N50E1S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGTD6N50E1S даташит

 ..1. Size:32K  1
 hgtd6n40e1 hgtd6n40e1s hgtd6n50e1 hgtd6n50e1s.pdf pdf_icon

HGTD6N50E1S

HGTD6N40E1, HGTD6N40E1S, HGTD6N50E1, HGTD6N50E1S 6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs March 1997 Features Packages HGTD6N40E1, HGTD6N50E1 6A, 400V and 500V JEDEC TO-251AA VCE(ON) 2.5V Max. EMITTER COLLECTOR TFALL 1.0 s GATE Low On-State Voltage Fast Switching Speeds COLLECTOR (FLANGE) High Input Impedance HGTD6N40E1S, HGTD6N50E1S Applications JEDEC TO

Другие IGBT... HGTD3N60B3 , HGTD3N60B3S , HGTD3N60C3 , HGTD3N60C3S , HGT5A27N120BN , HGTD6N40E1 , HGTD6N40E1S , HGTD6N50E1 , NGD8201N , HGTD7N60A4S , HGTD7N60B3 , HGTD7N60B3S , HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S , HGT1S2N120CNS , HGTD8P50G1 , HGTD8P50G1S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.