NGTG50N60FLWG IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NGTG50N60FLWG
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 223 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 43 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 220 pF
Encapsulados: TO247
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NGTG50N60FLWG datasheet
ngtg50n60flwg.pdf
NGTG50N60FLWG IGBT This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. http //onsemi.com Features Low Saturation Voltage using Trench with Field Stop Technology Low Switching Loss Reduces System
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History: KGF40N60PA
History: KGF40N60PA
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