Справочник IGBT. NGTG50N60FLWG

 

NGTG50N60FLWG Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NGTG50N60FLWG
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

NGTG50N60FLWG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  onsemi
 ngtg50n60flwg.pdf pdf_icon

NGTG50N60FLWG

NGTG50N60FLWGIGBTThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Trench construction, and provides superior performancein demanding switching applications, offering both low on statevoltage and minimal switching loss.http://onsemi.comFeatures Low Saturation Voltage using Trench with Field Stop Technology Low Switching Loss Reduces System

 4.1. Size:174K  onsemi
 ngtg50n60fwg.pdf pdf_icon

NGTG50N60FLWG

NGTG50N60FWGIGBTThis Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Trench construction, and provides superior performancein demanding switching applications, offering both low on statevoltage and minimal switching loss.http://onsemi.comFeatures Optimized for Very Low VCEsat Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation50 A, 600 V

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IRG7PH42UD | RJH6086BDPK | SGL20N60RUFD | IRGC100B120KB | IRG4PSH71K | IKD15N60R | GT10J321

 

 
Back to Top

 


 
.