KGF50N60KDA Todos los transistores

 

KGF50N60KDA IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KGF50N60KDA
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 277 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 250 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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KGF50N60KDA PDF specs

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KGF50N60KDA

SEMICONDUCTOR KGF50N60KDA TECHNICAL DATA General Description KEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and short circuit ruggedness. It is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies(UPS), general inverters. FEATURES High speed switching High ruggedness, temperature stable behavior Short Circuit Withstand T... See More ⇒

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