Справочник IGBT. KGF50N60KDA

 

KGF50N60KDA - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: KGF50N60KDA
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для KGF50N60KDA

 

 

KGF50N60KDA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1554K  kec
 kgf50n60kda.pdf

KGF50N60KDA KGF50N60KDA

SEMICONDUCTORKGF50N60KDATECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyand short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted powersupplies(UPS), general inverters.FEATURES High speed switchingHigh ruggedness, temperature stable behaviorShort Circuit Withstand T

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top