SML75HB06 Todos los transistores

 

SML75HB06 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SML75HB06
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 260 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 22 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

SML75HB06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  semelab
sml75hb06.pdf pdf_icon

SML75HB06

SML75HB06 Attributes: -aerospace build standard -high reliability -lightweight -metal matrix base plate -AlN isolation Maximum rated values/ Electrical Properties Collector-emitter Voltage 600 VVces DC Collector Current Tc=75C Ic, nom 75 A Tc=25C Ic 100 Repetitive peak Collector Cur- tp=1msec,Tc=75C Icrm 150 Arent Total PowerDissipation Tc=25C Ptot 260 WGate-emit

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History: CM1600HC-34H | IXGH30N60B | MMG15CB120XB6TC | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | IRG7PH35UD1M | IKW50N65WR5

 

 
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