SML75HB06 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SML75HB06
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 260 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 22 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
SML75HB06 Datasheet (PDF)
sml75hb06.pdf

SML75HB06 Attributes: -aerospace build standard -high reliability -lightweight -metal matrix base plate -AlN isolation Maximum rated values/ Electrical Properties Collector-emitter Voltage 600 VVces DC Collector Current Tc=75C Ic, nom 75 A Tc=25C Ic 100 Repetitive peak Collector Cur- tp=1msec,Tc=75C Icrm 150 Arent Total PowerDissipation Tc=25C Ptot 260 WGate-emit
Otros transistores... IGW40N65F5 , IKP40N65F5 , IKW40N65F5 , NGTB40N60FLWG , STGW15S120DF3 , STGW20IH125DF , STGWA15S120DF3 , STGWT20IH125DF , SGT60U65FD1PT , MMG50H120X6TN , MMG50S120B6TN , MMG50W120XB6TN , NGTB30N120L , NGTB30N120LWG , NGTB40N120L , NGTB40N120LWG , STGB30H60DLFB .
History: CM1600HC-34H | IXGH30N60B | MMG15CB120XB6TC | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | IRG7PH35UD1M | IKW50N65WR5
History: CM1600HC-34H | IXGH30N60B | MMG15CB120XB6TC | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | IRG7PH35UD1M | IKW50N65WR5



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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