SML75HB06 - аналоги и описание IGBT

 

SML75HB06 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SML75HB06

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SML75HB06

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SML75HB06 даташит

 ..1. Size:625K  semelab
 sml75hb06.pdf pdf_icon

SML75HB06

SML75HB06 Attributes -aerospace build standard -high reliability -lightweight -metal matrix base plate -AlN isolation Maximum rated values/ Electrical Properties Collector-emitter Voltage 600 V Vces DC Collector Current Tc=75C Ic, nom 75 A Tc=25C Ic 100 Repetitive peak Collector Cur- tp=1msec,Tc=75C Icrm 150 A rent Total PowerDissipation Tc=25C Ptot 260 W Gate-emit

Другие IGBT... IGW40N65F5 , IKP40N65F5 , IKW40N65F5 , NGTB40N60FLWG , STGW15S120DF3 , STGW20IH125DF , STGWA15S120DF3 , STGWT20IH125DF , GT30F125 , MMG50H120X6TN , MMG50S120B6TN , MMG50W120XB6TN , NGTB30N120L , NGTB30N120LWG , NGTB40N120L , NGTB40N120LWG , STGB30H60DLFB .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.