Справочник IGBT. SML75HB06

 

SML75HB06 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SML75HB06
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SML75HB06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  semelab
 sml75hb06.pdf pdf_icon

SML75HB06

SML75HB06 Attributes: -aerospace build standard -high reliability -lightweight -metal matrix base plate -AlN isolation Maximum rated values/ Electrical Properties Collector-emitter Voltage 600 VVces DC Collector Current Tc=75C Ic, nom 75 A Tc=25C Ic 100 Repetitive peak Collector Cur- tp=1msec,Tc=75C Icrm 150 Arent Total PowerDissipation Tc=25C Ptot 260 WGate-emit

Другие IGBT... IGW40N65F5 , IKP40N65F5 , IKW40N65F5 , NGTB40N60FLWG , STGW15S120DF3 , STGW20IH125DF , STGWA15S120DF3 , STGWT20IH125DF , SGT60U65FD1PT , MMG50H120X6TN , MMG50S120B6TN , MMG50W120XB6TN , NGTB30N120L , NGTB30N120LWG , NGTB40N120L , NGTB40N120LWG , STGB30H60DLFB .

History: MMG100SR120DE | IXGH30N60B | IRG7PH35UD1M | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | IKW50N65WR5 | MMG15CB120XB6TC

 

 
Back to Top

 


 
.